二维 Rashba 系统中任意无序情况下的纵向与自旋-海尔导电率
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
我们计算了在具有任意无序的二维 Rashba 系统中，四端子桥结构的纵向与自旋-海尔导电率。分别在 Landauer-Buttiker 形式化和直接求 Kubo 公式两种方法下获得数值结果。微观哈密顿量以最近邻跳跃积分 、Rashba 自旋轨道耦合 、Dresselhaus 自旋轨道耦合 以及 Anderson 样的局部无序能强度 表示。我们重新确认在临界无序阈值以下，存在自旋-海尔效应。进一步研究了费米能、Rashba/Dresselhaus 系数比以及系统尺寸对两种导电率的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510842,
title = {Longitudinal and spin-Hall conductance of a two-dimensional Rashba system with arbitrary disorder},
author = {Catalin Pascu Moca and D. C. Marinescu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510842},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 9 figures