范德华异层结构中阱态的远距离空间扩张
介观与纳米尺度物理
2026-04-17 v1
摘要
光致发光(PL)谱中窄线是低维半导体的特征表现。这些窄线对应于异层结构中局部阱能景面因局部阱态环境波动形成的阱态发射。此前，这类阱态的空间扩展范围仅在纳米尺度。本文研究了范德华异层结构中MoSe/WSe结构中空间间接阱态(IXs)的PL谱窄线。随着IX密度的增加，窄线逐渐消失。窄线消失与IX传输开始相关，表明这些窄线对应于局域阱态。窄线的空间扩展距离可达数微米，覆盖面积约占样品面积的十 percent。这种阱态对应的宏观空间扩展，表明阱态能景面偏离随机势，阱态被约束在mozi势垒中且具有较弱的无序性。
引用
@article{arxiv.2508.20306,
title = {Long-range spatial extension of exciton states in van der Waals heterostructure},
author = {Zhiwen Zhou and E. A. Szwed and W. J. Brunner and H. Henstridge and L. H. Fowler-Gerace and L. V. Butov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.20306},
year = {2026}
}