超深流水线后CMOS技术的逻辑验证
新兴技术
2020-05-29 v1
摘要
在传统芯片设计流程中发挥主要作用的传统逻辑等价性检查（LEC）正面临挑战，难以满足许多基于不同于标准互补金属氧化物半导体（CMOS）逻辑模型的新兴技术的要求。本文中，我们提出一种用于后CMOS电路验证流程的LEC框架。我们的LEC框架兼容现有CMOS技术，同时也能检查后CMOS技术独有的特性与能力。例如，某些新兴技术的性能受益于超深流水线，此类电路的验证需要新的模型与算法。因此，我们提出多周期输入依赖（MCID）电路模型，这是一种新颖的设计表示模型，用于显式捕获电路主输出对内部信号与输入序列的依赖关系。嵌入所提电路模型与若干结构检查模块后，验证过程可独立于底层技术与信号机制。我们在综合后的快速单磁通量子（RSFQ）网表上对所提框架进行基准测试。结果表明，针对包含32位Kogge-Stone加法器、16位整数除法器及ISCAS'85电路的RSFQ电路基准，其验证时间与ABC工具对类似CMOS电路的验证时间具有可比性。
引用
@article{arxiv.2005.13735,
title = {Logic Verification of Ultra-Deep Pipelined Beyond-CMOS Technologies},
author = {Arash Fayyazi and Shahin Nazarian and Massoud Pedram},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.13735},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 8 figures, 3 tables