LOFAR 对日冕中射电暴源尺寸与散射的观测

低频射电波的散射与折射会对日冕中射电源观测到的尺寸与位置产生显著影响。散射与折射被认为是由湍流引起的电子密度涨落所致。因此，确定真实的射电源尺寸可提供关于日冕等离子体湍流的信息。然而，缺乏低频高空间分辨率射电干涉观测（如 LOw Frequency ARray（LOFAR）），使得确定真实射电源尺寸与射电波散射程度十分困难。此处我们直接对 LOFAR 一次 IIIb 型射电暴观测的可见度以椭圆高斯拟合，以确定其源尺寸与位置。这避免了先成像再解卷积 LOFAR 点扩散函数的需要，后者可能给源尺寸与形状引入虚假效应。对于 34.76 MHz 处的一次暴，我们发现其半高全宽（FWHM）沿长轴与短轴的高度分别为 $18.8^\prime$ $\pm~0.1^\prime$ 与 $10.2^\prime$ $\pm~0.1^\prime$，对应日心距离为 1.75 R$_\odot$ 的天空平面。我们的结果表明，日冕中密度涨落的强度是射电波散射导致大源尺寸的主要原因。然而，$\varepsilon$ 的量级可能小于此前在 tied-array 图像射电波散射观测中所推导的值。