磁性单电子晶体管的线性响应电导与磁阻
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v3
摘要
研究了铁磁单电子晶体管（SET）中的电流。利用路径积分方法，将线性响应电导表述为隧穿电导与量子电导之比以及温度与库仑充电能量之比的函数。铁磁-正常金属-铁磁（F-N-F）SET的磁阻几乎不依赖于库仑充电能量，仅在输运驻留时间长于自旋翻转弛豫时间时才会减小。在自旋翻转弛豫时间可忽略的全铁磁（F-F-F）SET中，高温下磁阻可解析计算，低温下则需数值计算。F-F-F磁阻在低温'关'态下由高阶隧穿过程增强，此时感应电荷消失。相比之下，在共振附近的'开'态，磁阻比是逆温度的非单调函数。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0004082,
title = {Linear response conductance and magneto-resistance of ferromagnetic single-electron transistors},
author = {Arne Brataas and X. H. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0004082},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 6 figures. accepted for publication in Phys. Rev. B