亚毫米波脉泽的线偏振：利用 ALMA 追踪磁场

(摘要删节) 本工作的目标是调查在 ALMA 频率范围内，当塞曼频率 ($g\Omega$) 大于受激发射率 ($R$) 和分子态衰变率 ($\Gamma$) 时，是否可以检测到具有可观测分数线偏振水平的 SiO、H$_2$O 和 HCN 脉泽发射。我们使用辐射转移代码计算了若干 SiO、H$_2$O 和 HCN 转动跃迁的分数线偏振随出射亮温度的变化，这些跃迁已被观测到在亚毫米波长显示脉泽发射。我们假设了先前 VLBI 观测中测得的银河系恒星形成区和晚型星周包层的典型磁场强度。由于尚未报道我们所建模的不同转动跃迁的 Land\'e $g$ 因子，我们在计算中假设了不同分子物种塞曼频率的保守值。设定仍满足标准 $g\Omega>R$ 和 $g\Omega>\Gamma$ 的塞曼频率下限，我们发现对于所分析的 SiO、H$_2$O 和 HCN 的高 $J$ 跃迁，在不考虑各向异性泵浦或任何其他非塞曼效应的情况下，分数偏振水平分别高达 13%、14% 和 19%。这些上限是在假设磁场方向垂直于脉泽辐射传播方向的情况下计算的。根据我们的结果，即使检测到的偏振已被非塞曼效应增强，ALMA 频率范围内的 SiO、H$_2$O 和 HCN 脉泽发射仍可被检测到具有合适的线偏振，以追踪恒星形成区和晚型星的磁场结构。