Kondo 晶格体系 CeAgAs2 中的层分辨电子行为
强关联电子
2023-04-11 v1
摘要
我们采用硬 X 射线光电子能谱研究了反铁磁 Kondo 晶格体系 CeAgAs2 的电子结构。CeAgAs2 为 HfCuSi2 结构的斜方变体，表现出反铁磁基态、类 Kondo 电阻上翘以及低温下磁矩补偿。不同光子能量下获得的能谱表明解理表面终止于顺-反 As 层。深度分辨数据显示 As 和 Ce 核心能级谱存在显著的表面-体差异。As 2p 体态谱显示对应于两种不同 As 层的明显双峰。较高结合能处的峰对应于顺-反 As 层，其与相邻 Ce 层弱杂化。Ce 与 Ag 层之间的 As 层由于与邻近原子的强杂化而具有接近三价构型，相应特征出现在较低结合能处。Ce 3d 核心能级谱呈现反映强 Ce-As 杂化和强关联的多重特征。表面谱中观察到强烈的 f0 峰，而在体中不明显。此外，我们观察到结合能低于良屏蔽特征的特征，表明存在额外相互作用。该特征在体谱中更强，暗示其为体性质。温度升高导致核心能级谱中谱权重向高结合能转移，以及费米能级处谱强度耗减，正如 Kondo 材料中所预期。这些结果揭示了该新型 Kondo 晶格体系电子结构中有趣的表面-体差异、层内与层间共价性的复杂相互作用以及电子关联。
引用
@article{arxiv.2304.03921,
title = {Layer-resolved electronic behavior in a Kondo lattice system, CeAgAs2},
author = {Sawani Datta and Ram Prakash Pandeya and Arka Bikash Dey and A. Gloskovskii and C. Schlueter and T. R. F. Peixoto and Ankita Singh and A. Thamizhavel and Kalobaran Maiti},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.03921},
year = {2023}
}