非封装少层 CrI3 中堆叠序的层数依赖性
材料科学
2019-11-13 v2
摘要
原子级薄铁磁性 CrI3 中的长程磁序带来了新的迷人物理现象与应用前景。二维（2D）铁磁性 CrI3 的物理性质受层间距和堆叠序的显著影响，而其对静水压力与外部环境十分敏感。然而，关于低温下的堆叠序仍存在争议。本文中，我们通过拉曼光谱研究了 10 K 下非封装 2–5 层及块体 CrI3 的层间耦合与堆叠序；证明了反铁磁与铁磁 CrI3 中均存在菱方堆叠。由声子对称性引起的 Ag 与 Eg 模相反螺旋度依赖性进一步验证了菱方堆叠。由于 60 K 以下的自旋-声子耦合，观察到了异常的温度依赖行为。我们的工作为二维铁磁材料的层间耦合与堆叠序提供了见解。
引用
@article{arxiv.1907.08886,
title = {Layer Dependence of Stacking Order in Nonencapsulated Few-layer CrI3},
author = {Kai Guo and Bowen Deng and Zhongtai Shi and Yue Li and Xin Wang and Lei Bi and Li Zhang and Haipeng Lu and Peiheng Zhou and Linbo Zhang and Yingchun Cheng and Bo Peng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.08886},
year = {2019}
}