纳米尺度下晶格对位错运动的阻力
材料科学
2008-09-13 v2
摘要
在本文中，我们提出了一种模型，展示了自由表面对纳米尺度系统中运动位错所经历的晶格阻力的影响。这种效应表现为由于位错线靠近表面而导致位错速度增强。为了验证这一发现，我们对体心立方（bcc）钼中的刃型位错进行了分子动力学模拟，结果发现与该模型的数值实现一致。模拟揭示的该效应在较高应力和温度下的减弱，证实了晶格阻力在观察到的位错速度变化背后的作用。
引用
@article{arxiv.0804.4360,
title = {Lattice Resistance to Dislocation Motion at the Nanoscale},
author = {A. Dutta and M. Bhattacharya and P. Barat and P. Mukherjee and N. Gayathri and G. C. Das},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.4360},
year = {2008}
}
备注
4 Figures