近单产率下在晶体中激光写入单个原子缺陷
量子物理
2019-08-06 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
宽禁带材料中的原子缺陷在开发新一代量子信息技术方面前景广阔，但一直受限于无法以可控方式产生和加工这些缺陷。金刚石中的氮-空位（NV）色心是最具前景的候选者之一，其单个缺陷可对电子自旋与核自旋自由度进行光学寻址，在先进传感与计算方面具有应用潜力。在此，我们展示了一种利用带在线荧光反馈的激光加工，在选定位置以高定位精度确定性写入单个 NV 中心的方法。该方法为量子技术工程材料与器件的制备提供了新工具，并增进了对固体中点缺陷扩散动力学的理解。
引用
@article{arxiv.1807.04028,
title = {Laser writing of individual atomic defects in a crystal with near-unity yield},
author = {Yu-Chen Chen and Benjamin Griffiths and Laiyi Weng and Shannon Nicley and Shazeaa N. Ishmael and Yashna Lekhai and Sam Johnson and Colin J. Stephen and Ben L. Green and Gavin W. Morley and Mark E. Newton and Martin J. Booth and Patrick S. Salter and Jason M. Smith},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.04028},
year = {2019}
}
备注
16 pages, 8 figures