硅中的激光损伤：能量吸收、弛豫与输运
介观与纳米尺度物理
2014-08-20 v2 统计力学
摘要
我们使用双温度描述，从理论上研究了经超短800 nm激光脉冲辐照的硅，该描述考虑了辐照期间及辐照后的瞬态自由载流子密度。采用Drude模型来考虑高度瞬态的光学参数。我们分析了考虑这些依赖于密度的参数以及Drude碰撞频率选择的重要性。此外，还研究了简并效应和输运效应。研究了这些过程中每一个对最终计算出的损伤阈值的重要性。我们报告的损伤阈值计算结果，在广泛的脉冲持续时间范围内与实验结果非常吻合。
引用
@article{arxiv.1401.5663,
title = {Laser damage in silicon: energy absorption, relaxation and transport},
author = {A. Rämer and O. Osmani and B. Rethfeld},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.5663},
year = {2014}
}