使用圆形忆阻纳米门实现自旋霍尔纳米振荡器的大范围非易失频率调谐
应用物理
2024-02-02 v2
摘要
自旋霍尔纳米振荡器（SHNO）因其微型化尺寸、非线性、快速动力学以及能够在长链和阵列中同步，成为神经形态计算的有前景候选。然而，在大型链/阵列中调谐单个SHNO（这是实现突触控制的关键）仍然是一个挑战。在这里，我们展示了圆形忆阻纳米门，它们相对于W/CoFeB/HfOx的纳米收缩SHNO精确对齐或偏移，提高了器件可调谐性的质量。发现位于纳米收缩区域正中心的栅极会导致氧化物层不可逆的退化，从而导致自振荡模式的永久频率偏移。作为补救措施，偏移到纳米收缩区域之外的栅极可以大幅调谐频率（>200 MHz），而不会对收缩区域造成任何永久性改变。因此，圆形忆阻纳米门可用于SHNO链/阵列，以精确操纵大型振荡器网络上的同步状态。
引用
@article{arxiv.2312.03352,
title = {Large Non-Volatile Frequency Tuning of Spin Hall Nano-Oscillators using Circular Memristive Nano-Gates},
author = {Maha Khademi and Akash Kumar and Mona Rajabali and Saroj P. Dash and Johan Åkerman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.03352},
year = {2024}
}
备注
Marie Sklodowska-Curie Actions, H2020-MSCA-ITN-2020; Project Acronym SPEAR; Grant Agreement No. 955671