金属-半导体纳米结构中的朗道冷却
介观与纳米尺度物理
2007-12-19 v1
摘要
针对纳米尺度导体系统，提出了一种基于朗道量子化的电子冷却原理。其运行依赖于在量子化磁场中，电子通过能量选择性隧穿进入二维电子气。这种量子制冷机可提供显著的冷却功率（在几开尔文温度下，对于实际参数约为1纳瓦），并且由于其可通过磁场强度进行调谐，因此具有独特的灵活性。其可用性能受半导体中无序或缺陷等非理想因素的影响很小。讨论了该系统的实现方法及其表征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703119,
title = {Landau Cooling in Metal-Semiconductor Nanostructures},
author = {F. Giazotto and F. Taddei and M. Governale and R. Fazio and F. Beltram},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703119},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 color figures