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偏置电流升高时超导体中的科尔舒诺夫瞬子

超导电性 2017-10-05 v2 介观与纳米尺度物理

摘要

即使在零温度下,耗散也会减少量子涨落并倾向于局域化粒子。一个显著的例外是约瑟夫森结中准粒子隧穿引起的非线性耗散。众所周知,准粒子耗散并不阻止超导结中的相位粒子相干隧穿到次近邻极小值,尽管到最近邻极小值的隧穿被抑制。原因是耗散作用量允许一个瞬子解,即所谓的科尔舒诺夫瞬子。在这里,我们分析了偏置电流 II 升高时的该模型。我们发现,除了已知的隧穿率对数标度为 I2/3I^{2/3} 的区域外,还存在一个标度为 I2I^2 的新区域。我们认为,新区域为科尔舒诺夫瞬子的实验验证提供了机会,因为与早期结果相比,升高的偏置电流导致更大的隧穿率。

关键词

引用

@article{arxiv.1705.03015,
  title  = {Korshunov instantons in a superconductor at elevated bias current},
  author = {Daniel Otten and Fabian Hassler},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1705.03015},
  year   = {2017}
}

备注

10 pages, 6 figures