基于单目标溅射的 Fe$_2$VAl 基薄膜热电材料的迭代组成优化
材料科学
2024-06-10 v1
摘要
磁控溅射本质上具有将靶材中的颗粒按等比例抛出的优势。然而，由于元素与工作气体之间的散射差异，薄膜组成常会偏离目标配比，需调整溅射工艺。在本工作中，我们探讨了一种颠覆性的方法，即采用非配比靶材。通过迭代过程获得所需的组成，FeVAl 和 FeVTiAl 薄膜作为案例研究。最终，从 FeVAl 和 FeVTiAl 靶材中获得了正确的配比。尽管热电性能因薄膜结晶性不足而低于预期，但该策略成功实现了所需的配比，无需高级溅射装置即可实现准确的薄膜合成。
引用
@article{arxiv.2406.04729,
title = {Iterative composition optimization in Fe$_2$VAl-based thin-film thermoelectrics using single-target sputtering},
author = {Alexander Riss and Ellena Lasisch and Simon Podbelsek and Katharina Schäfer and Michael Parzer and Fabian Garmroudi and Christoph Eisenmenger-Sittner and Takao Mori and Ernst Bauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.04729},
year = {2024}
}