矢量粲偶素的同位旋破坏衰变

我们研究矢量粲偶素到 $\Lambda\overline{\Sigma}^0$ 及其电荷共轭态的同位旋破坏衰变。它们由单光子湮灭主导，并可用类时形状因子可靠地计算。我们利用对 OZI 压低衰变有效的夸克对产生模型来评估形状因子。我们得到分支比 ${\cal B}(J/\psi\to\Lambda\overline{\Sigma}^0+c.c.)=(2.4\pm0.4)\times10^{-5}$ 与 ${\cal B}(\psi(2S)\to\Lambda\overline{\Sigma}^0+c.c.)=(3.0\pm0.5)\times10^{-6}$，分别与 BESIII 合作组的测量相符。衰变不对称参数分别为 $\alpha_{J/\psi}=0.314$ 与 $\alpha_{\psi(2S)}=0.461$，可在不久的将来由 BESIII 检验。