活动星系核中的电离吸积盘：可变高度灯柱效应

X射线发射冕辐照并电离活动星系核（AGN）内吸积盘的表面。内盘在距黑洞半径$r$处的电离参数$\xi(r)$可用于推断冕的位置信息。本文推导了一个新公式，用于预测在黑洞对称轴上方高度$h$处的X射线源（即灯柱几何）辐照下盘的电离参数$\xi(r,h)$。该方程与黑洞质量和X射线谱无关，并考虑了引力光弯曲对电离状态的影响以及可变的冕耗散因子。我们预测内盘表面存在强烈的电离梯度，该梯度取决于黑洞自旋和灯柱高度。对于固定的$h$，电离参数还预期按$\lambda^3$增加，其中$\lambda$是观测到的AGN热光度爱丁顿比。将此公式与Mrk 335的观测$\xi$-$\lambda$关系进行比较，得到$h \propto \lambda^{0.5-0.6}$，支持了AGN中动态X射线冕的观点。