Rashba 二维电子体系中的逆法拉第效应：自旋与轨道效应的相互作用

逆法拉第效应 (IFE) 指通过将光学角动量传递给电子自由度来产生直流磁化。对于导电体系，此响应可从两个微观通道中产生——游离电子的自旋极化和由循环电流产生的轨道磁化。然而，具有自旋轨道耦合的导电体系中轨道对逆法拉第效应的贡献仍鲜为人知。我们使用量子动力学方程和格林函数图谱，对具有 Rashba 自旋轨道耦合的无序二维电子体系中的 IFE 进行理论分析。我们发现，在非相互作用的 Rashba 金属中，轨道磁化受自旋轨道耦合的强烈修改，可能在真实参数范围内与或超过自旋磁化。当辐射频率接近 Rashba 自旋分裂时，自旋和轨道磁化都表现出共振放大。这些结果阐明了光致磁化的微观来源，突显了在低维电子系统中光驱动磁化动力学中自旋和轨道机制之间的相互作用。