Mott绝缘体中的逆法拉第效应
强关联电子
2022-06-02 v4 材料科学
摘要
逆法拉第效应（IFE）中，静态磁化由圆偏振光诱导，为实现自旋态的超快控制提供了一条有前景的途径。此处我们利用Floquet理论研究Mott绝缘体中的IFE。我们发现由反演对称性支配的两种不同IFE行为。在具有反演对称性的Mott绝缘体中，我们发现IFE诱导的有效磁场与邻近自旋铁磁耦合。而对于无反演对称性的Mott绝缘体，IFE导致的有效磁场与邻近自旋反铁磁耦合。我们将该理论应用于与Kitaev量子自旋液体材料相关的自旋轨道耦合单轨道与多轨道Hubbard模型，并证明磁相互作用可由光调控。
引用
@article{arxiv.2109.01940,
title = {Inverse Faraday effect in Mott insulators},
author = {Saikat Banerjee and Umesh Kumar and Shi-Zeng Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.01940},
year = {2022}
}
备注
Final version