向高Q值超导微波腔中引入直流偏置
超导电性
2011-04-08 v1
摘要
我们报道了一种在不显著干扰选定腔模的情况下，向高品质因数超导微波腔的中心导体施加直流电压或电流偏置的技术。这是通过在腔体的特定位置集成直流偏置线来实现的。系统测量的S矩阵参数与理论预测和模拟结果吻合良好。我们发现，在4 K温度下，施加直流偏置后腔体的品质因数下降小于1%。
引用
@article{arxiv.1101.4218,
title = {Introduction of a DC Bias into a High-Q Superconducting Microwave Cavity},
author = {Fei Chen and A. J. Sirois and R. W. Simmonds and A. J. Rimberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.4218},
year = {2011}
}
备注
Submitted to Appl. Phys. Lett