由光学数据得到的电子-玻色子谱密度中的本征温度依赖演化

我们研究了利用最大熵反演方法从光学数据得到的电子-玻色子谱密度函数（$I^2\chi(\omega)$）上的温度涂抹效应。我们首先采用两个简单的模型输入 $I^2\chi(\omega)$，使用模型输入谱密度函数和广义Allen公式在选定温度下计算光学散射率，然后利用曾用于分析包括铜氧化物在内的高温超导体光学数据的最大熵方法（MEM）从计算的光学散射率反提取每个温度下的 $I^2\chi(\omega)$，最后将得到的 $I^2\chi(\omega)$ 与输入进行比较。通过该方法我们发现，当拟合质量足够好时，反演过程几乎可以完美恢复输入的 $I^2\chi(\omega)$；而当拟合质量不够好时，$I^2\chi(\omega)$ 中会出现温度涂抹（或热展宽）效应。我们发现耦合常数和对数平均频率对温度涂抹效应和/或拟合质量具有鲁棒性。我们利用这两个量的鲁棒性质作为判据，以检验实验数据是否包含本征温度依赖演化。我们仔细地将MEM应用于两种材料体系（一种最优掺杂和另一种欠掺杂铜氧化物超导体），得出结论：从光学数据提取的 $I^2\chi(\omega)$ 包含本征温度依赖演化。