EuAuBi中内在磁传输及取向相关的拓扑霍尔效应
强关联电子
2026-04-29 v1
摘要
我们报道了采用铅溶剂方法生长EuAuBi高品质单晶，该方法有效抑制了铜溶剂生长单晶中常见的二铜生物杂质相的形成。这种生长优化使我们能够可靠地探讨EuAuBi的固有物理性质。重要的是，铅溶剂生长稳定了c轴取向的单晶，使我们能够进行此前未探索的几何配置的霍尔测量。在该配置下（磁场I沿c轴，B垂直于c轴），在抗亚磁序临界温度以下且在狭窄的磁场范围内，出现了 finite残余霍尔贡献，称为拓扑霍尔信号。该霍尔贡献与磁共振异常、抗磁性转变以及场依赖比热的额外特征相吻合，表明电子传输与场诱导磁重构之间存在强耦合。因此，这些发现凸显了晶体取向在揭示磁性半金属如EuAuBi中拓扑传输特征方面的重要性。
引用
@article{arxiv.2604.25365,
title = {Intrinsic magnetotransport and orientation dependent topological Hall effect in EuAuBi},
author = {Lipika and Sneh and Shobha Singh and Ralf Koban and Walter Schnelle and Kaustuv Manna},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.25365},
year = {2026}
}