MoSe$_2$/CrSBr 异质结构中局域色胞
介观与纳米尺度物理
2024-05-28 v1
摘要
我们系统地研究了 MoSe/CrSBr 异质结构的光学性质，揭示了以新型发射特征 X 表示的局域色胞。通过温度和功率依赖的光致发光光谱，我们表明 X 来源于 CrSBr 层中由固有缺陷约束的色胞。X 和中空峰的谷极化在磁场下显示相反的极性，这与 CrSBr 的磁序密切相关。这归因于跨越异质界面进行的自旋依赖电荷转移机制，得到密度泛函理论计算支持的类型-II 能带对齐和自旋极化能带结构。此外，CrSBr 的强面内各向异性引起 MoSe 发射的独特偏振响应。我们的研究突显了缺陷在塑造色胞性质中起的关键作用，为理解 van der Waals 异质结构中半导体和磁性材料之间的谱分辨的近距离效应提供了宝贵见解，推动了自旋电子器件和谷极电子器件的发展。
引用
@article{arxiv.2405.16079,
title = {Intrinsic localized excitons in MoSe$_2$/CrSBr heterostructures},
author = {Xinyue Huang and Zhigang Song and Yuchen Gao and Pingfan Gu and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Shiqi Yang and Zuxin Chen and Yu Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.16079},
year = {2024}
}
备注
9 pages, 4 figures