修正热点模型中超导单光子探测器的本征探测效率
超导电性
2014-11-18 v1
摘要
我们从理论上研究了超导单光子探测器的本征探测效率 (IDE) 对施加电流 和磁场 的依赖关系。我们发现，超导薄膜中出现电阻态时的电流取决于热点（即光子被吸收处周围超导性被抑制的区域）相对于薄膜边缘的位置。这导致了 IDE(I) 不可避免的平滑依赖关系，即使对于均匀的直超导薄膜且在无涨落的情况下，当 IDE 时也是如此。当 IDE 时，更尖锐的电流依赖性源于涨落辅助的涡旋进入位于薄膜边缘附近的热点。我们发现，当光子探测与涨落辅助的涡旋进入相关时 (IDE)，弱磁场会强烈影响 IDE；而当光子探测与电流诱导的涡旋进入热点或热点内部涡旋 - 反涡旋对的成核相关时 (IDE)，弱磁场对 IDE 的影响较弱。
引用
@article{arxiv.1407.3710,
title = {Intrinsic detection efficiency of superconducting single photon detector in the modified hot spot model},
author = {A. N. Zotova and D. Yu. Vodolazov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.3710},
year = {2014}
}
备注
10 pages, 12 figures