具有面内侧栅的量子点接触中的内禀双稳态
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v1
摘要
我们研究了在存在横向自旋轨道耦合的情况下，具有面内侧栅的单量子点接触（QPC）中内禀双稳态和伴随的迟滞现象。电导相对于施加到两个侧栅的公共栅极电压的迟滞仅当QPC的狭窄部分足够长时才存在。如果忽略电子-电子相互作用的影响，则迟滞消失，但随电子-电子相互作用强度的增加而增加。迟滞出现在电导异常区域，即小于2e^2/h，并且是由于这些区域中的多稳态自旋纹理所致。
引用
@article{arxiv.1303.3429,
title = {Intrinsic Bistability In Quantum Point Contacts with in-plane Side Gates},
author = {J. Charles and M. Cahay and R. S. Newrock},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3429},
year = {2015}
}
备注
Applied Physics Letters (2013)