ex-so-tic 范德鲁克结构中内在异常、自旋与谷浦氏效应
介观与纳米尺度物理
2024-04-23 v1
摘要
我们考虑了在干净的 ex-so-tic 石墨烯基范德鲁克异性结构中出现的异常、自旋、谷浦氏和谷浦氏-自旋氏效应。该异性结构由具有强自旋轨道耦合（例如 WS）的半导体范德鲁克材料与具有铁磁和绝缘特性的范德鲁克材料（例如 CrGeTe）之间的双层石墨烯（BLG）构成。通过将 Zollner 等人[Phys. Rev. Lett. 125(19), 196402 (2020)] 推导的有效哈密顿量化简至低能态，并使用格林函数 formalism，我们推导出费米能级和栅极电压下 Hall 电导率的解析结果。根据这些参数，我们发现谷浦氏电导率具有量化特征。
引用
@article{arxiv.2404.13451,
title = {Intrinsic anomalous, spin and valley Hall effects in ex-so-tic van-der-Waals structures},
author = {I. Wojciechowska and A. Dyrdal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.13451},
year = {2024}
}
备注
16 pages, 8 figures