InSb 阶梯量子阱中的子带间光吸收：自旋子能级交叉效应

我们研究了面内磁场作用下基于 InSb 的阶梯量子阱中子带间吸收的线性和非线性系数。我们还考虑了横向电场以实现近共振条件。考虑到两个最深的导带能级及其相应的塞曼自旋分裂子能级，我们利用改进版的 Kane 模型计算了色散关系。除了已知的向下和向上自旋分裂子能级之间的反交叉外，我们在某些特定参数下获得了额外的自旋能级交叉。这种交叉明显改变了所考虑的四个子能级之间跃迁的吸收光谱。我们研究了低电子密度情况（此时仅占据第一个最深的子能级）和高密度情况（此时仅最高的子能级为空）。我们发现这两种情况下吸收光谱表现出相似的行为。