层状材料中角度依赖磁电阻的解读：在铜氧化物中的应用

铜氧化物金属从过掺杂侧到欠掺杂侧的低温电子结构演化，最近已通过 La$_{1.6-x}$Nd$_{0.4}$Sr$_x$CuO$_4$ 中的角度依赖磁电阻（ADMR）实验加以探讨。结果显示，位于中间 $p$ 处假想量子临界点两侧的空穴掺杂 $p = 0.24$ 与 $p = 0.21$ 之间存在显著差异。受此启发，我们在此研究关联层状材料中 ADMR 的理论，特别关注角度依赖准粒子权重 $Z_{\mathbf{k}}$ 的作用。这样的 $Z_{\mathbf{k}}$ 有望刻画铜氧化物材料的若干流行模型，尤其在欠掺杂时。此外，在层间跳跃微弱的极限下，准粒子权重将影响 ADMR 实验中测得的 $c$ 轴输运。我们表明，恰当纳入准粒子权重并不支持用 $(\pi, \pi)$ 自旋密度波有序态来解释数据，这与缺乏此类有序的直接证据一致。我们表明，跨越范霍夫点的费米面重构的简单模型抓住了 $p = 0.21$ 与 $p = 0.24$ 之间许多显著差别。我们评述了为何尽管在 $p = 0.21$ 处具有大费米面、看似与该掺杂水平下小费米面的其他证据矛盾，此类模型仍可能适用于解读 ADMR 数据。