库仑阻塞区间的干涉效应：对称纳米结中的电流阻塞与自旋制备
介观与纳米尺度物理
2011-08-22 v2
摘要
我们考虑单电子隧穿区间的纳米结，由于高度的空间对称性，其具有简并的多体能谱。因此，在特定的偏压和栅极电压下，会发生导致电流阻塞的干涉现象。我们在此提出一个通用形式体系，以给出干涉阻塞的充分必要条件，即使在存在自旋极化引线的情况下也是如此。作为例子，我们分析了一个三量子点单电子晶体管（SET）。对于平行极化引线的设置，我们展示了如何在不施加任何外部磁场的情况下，选择性地将系统制备到激发自旋三重态的三种状态中的每一种。
引用
@article{arxiv.1007.0639,
title = {Interference effects in the Coulomb blockade regime: current blocking and spin preparation in symmetric nanojunctions},
author = {Andrea Donarini and Georg Begemann and Milena Grifoni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.0639},
year = {2011}
}
备注
10 pages, 9 figures. Corrected typos and updated references