半导体 LaBiMn4/3Co2/3O6 中介面对介电响应的贡献
材料科学
2008-06-02 v1 强关联电子
摘要
我们对钙钛矿 LaBiMn4/3Co2/3O6 的烧结多晶样品进行了阻抗测量。巨大的介电常数常在此类半导体材料中被测得，这是由外在因素导致的。我们的结果表明，在不同厚度的一系列样品上测得的电容存在巨大偏移，这是由界面极化引起的。随后可以从数据中去除该贡献，从而为半导体样品的介电测量建立一套通用程序。
引用
@article{arxiv.0804.4387,
title = {Interfacial contribution to the dielectric response in semiconducting LaBiMn4/3Co2/3O6},
author = {M. Filippi and B. Kundys and R. Ranjith and A. K. Kundu and W. Prellier},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.4387},
year = {2008}
}
备注
13 pages, 4 figures