铱产生的类场自旋轨道转矩的界面与体自旋霍尔贡献
介观与纳米尺度物理
2021-05-18 v1
摘要
我们给出了在溅射 Ir/CoFeB 与 Ir/Co 样品中作为膜厚函数的由 Ir 产生的自旋轨道转矩测量。我们发现 Ir 提供阻尼类自旋轨道转矩分量，其最大自旋转矩电导率为 1.4e5（SI 单位），最大自旋转矩效率为 0.04，这足以驱动具有垂直磁各向异性的 0.8 nm CoFeB 薄膜中的翻转。我们还观察到出乎意料地大的类场自旋轨道转矩。作为 Ir 厚度的函数测量表明，界面机制对 FLT 有显著贡献，因此在超薄极限下存在非零 FLT，其最大转矩电导率为 -5.0E4（SI 单位）。当 Ir 薄膜厚度与其自旋扩散长度 1.6 nm 相当或更大时，对类场转矩还存在较小的体贡献。
引用
@article{arxiv.2105.02787,
title = {Interfacial and bulk spin Hall contributions to field-like spin-orbit torque generated by Iridium},
author = {Sutapa Dutta and Arnab Bose and A. A. Tulapurkar and R. A. Buhrman and D. C. Ralph},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.02787},
year = {2021}
}