电电荷与磁电荷及暗拓扑缺陷的相互作用

我们考虑一个暗光子模型，该模型作为连续对称性破缺 SU(2)$\,\to\,$U(1)$\,\to \mathbb{Z}_2$ 的结果出现，其中暗 sector 中出现了各类拓扑缺陷。在本文中，我们通过 QED 光子与暗光子之间的混合，研究 QED 电荷与暗拓扑缺陷之间的相互作用。特别地，我们通过引入磁混合与 $\theta$ 项扩展了之前的的分析。我们还考虑了暗 sector 中的 dyon 与 dyonic bead。值得注意的是，尽管暗光子具有有限质量，但发现暗磁/dyonic bead 通过磁混合诱导出 QED 库仑势。