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填充因子为 1 时的双层计数流中的相互作用与无序

介观与纳米尺度物理 2007-05-23 v1 强关联电子

摘要

我们研究了高迁移率、相互作用的 GaAs 双层空穴系统,在总填充因子 ν=1\nu=1 下表现出计数流超流输运。随着两层的密度降低,使双层更具相互作用性,给定温度下的计数流横向电导率 (ρxy\rho_{xy}) 降低,而计数流纵向电导率 (ρxx\rho_{xx})——其大小远大于 ρxy\rho_{xy}——几乎不受密度影响。另一方面,层间密度的微小不平衡会导致 ν=1\nu=1ρxx\rho_{xx} 出现显著变化,而 ρxy\rho_{xy} 保持几乎为零。我们的数据表明,ν=1\nu=1 时的有限 ρxx\rho_{xx} 是由由于该系统中普遍存在的无序所创建的超流中的可移动涡旋所致。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0504119,
  title  = {Interaction and disorder in bilayer counterflow transport at filling factor one},
  author = {E. Tutuc and M. Shayegan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504119},
  year   = {2007}
}

备注

4 pages, 3 figures