强量子限域 CsPbBr$_3$ 纳米晶中强烈的暗激子发射
应用物理
2020-10-22 v2 材料科学
摘要
半导体纳米晶中的暗基态激子因其长寿命（对需要长寿命电子或自旋态的应用具有吸引力）而备受关注。近来人们已作出大量努力来探索和获取金属卤化物钙钛矿纳米晶中的暗激子能级，与其他现有半导体纳米晶相比，后者正成为更优的光子和电荷源。然而，在金属卤化物钙钛矿纳米晶中直接观测暗激子的长寿命光致发光一直难以实现。在此，我们报道了在强量子限域 CsPbBr3 纳米晶中观测到来自暗基态激子的强烈发射，其寿命为 1-10 μs，这与迄今探索的弱限域系统行为相反。对具有不同限域程度的 CsPbBr3 纳米晶的研究揭示了量子限域在增强亮-暗激子能级分裂中的关键作用，而这对获取暗激子十分重要。我们的工作展示了强量子限域钙钛矿纳米晶作为利用暗激子的新平台的未来潜力。
引用
@article{arxiv.2002.08589,
title = {Intense Dark Exciton Emission from Strongly Quantum Confined CsPbBr$_3$ Nanocrystals},
author = {Daniel Rossi and Xiaohan Liu and Yangjin Lee and Mohit Khurana and Joseph Puthenpurayil and Kwanpyo Kim and Alexey Akimov and Jinwoo Cheon and Dong Hee Son},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.08589},
year = {2020}
}