关联电子系统瞬子扇区作为填充赝能隙与平“带”行为的起源：解析解
强关联电子
2008-07-29 v1 超导电性
摘要
本文解析求解了准一维Hubbard模型中关联电子系统亚稳态真空之间的有限温度瞬子。瞬子产生动态对称性破缺，并将金属态与双重真空（超导态和自旋密度波态）连接起来。瞬子沿Matsubara虚时延展，其结构类似于先前在准一维Peierls模型中发现的坐标空间孤子晶格。在微观层面，真空间跃迁由电子-空穴对和Cooper对的“共振四重态”之间的相互变换描述。“瞬子晶体”中电子的谱性质展现出赝能隙行为，在赝能隙中心具有有限的费米子态密度，而在其外部则呈现“平带”。本文在高温铜氧化物超导体的ARPES和STM数据背景下，讨论了赝能隙以及超导和自旋密度波凝聚体密度的解析推导的逆温度标度关系。
引用
@article{arxiv.0807.4222,
title = {Instanton sector of correlated electron systems as the origin of populated pseudo-gap and flat "band" behavior: analytic solution},
author = {S. I. Mukhin},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.4222},
year = {2008}
}
备注
5 pages,2 figures, Latex, epsf