对缺陷 ZnS 表面 $CO_{2}$ 活化的洞察
材料科学
2026-01-21 v1 化学物理
摘要
在本工作中，我们利用近环境压力 X 射线光电子能谱测量 (NAP-XPS) 和密度泛函理论计算 (DFT) 研究了 ZnS 上的 活化。我们的 NAP-XPS 实验表明，在 气氛（最高至 ）中加热至 以上时， 吸附在缺陷 ZnS 表面上。即使在超高真空下冷却至室温后，仍可检测到 吸附特征。我们的 DFT 计算表明，在含有锌空位的 ZnS 表面上， 吸附在能量上是有利的，突出了缺陷位点作为关键吸附中心的作用。此外，与在无缺陷表面上观察到的吸热行为相反，缺陷 ZnS 表面上的氧吸附是放热的。这些发现有助于更深入地理解缺陷驱动的表面反应性，并可能为用于 捕获和再利用的 ZnS 基催化剂的设计提供参考。
引用
@article{arxiv.2601.13434,
title = {Insights into $CO_{2}$ activation on defective ZnS surfaces},
author = {P. R. A de Oliveira and P. Venezuela and F. Stavale and J. A. Boscoboinik},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.13434},
year = {2026}
}