压力下元素铋的红外电导率：避免Lifshitz型半金属-半导体转变的证据
强关联电子
2010-09-16 v4
摘要
对元素铋施加压力会减小其导带-价带重叠，并在约25 kbar处导致半金属-半导体(SMSC)转变。该转变名义上属于拓扑“Lifshitz”费米面类型，但关于低电荷密度下相互作用的作用仍存在未解决的问题。利用一种新型光学可访问的压力池，我们对铋在压力下的红外电导率进行了广泛研究。与预期的纯能带行为相反，我们发现了增强相互作用效应的特征，包括强耦合的电荷-等离子体激元(plasmaron)特征以及直到转变点仍保持有限的等离子体频率。这些效应与纯Lifshitz能带型转变不一致。我们假设相互作用在驱动该转变中起着核心作用。
引用
@article{arxiv.1002.4206,
title = {Infrared Conductivity of Elemental Bismuth under Pressure: Evidence for an Avoided Lifshitz-Type Semimetal-Semiconductor Transition},
author = {N. P. Armitage and Riccardo Tediosi and F. Levy and E. Giannini and L. Forro and D. van der Marel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.4206},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 3 figures, Appeared in Phys. Rev. Lett