器件几何结构对\nu=5/2 量子霍尔液体中隧穿的影响
介观与纳米尺度物理
2013-08-28 v3 强关联电子
摘要
最近的两项实验 [I. P. Radu et al., Science 320, 899 (2008) 和 X. Lin et al., Phys. Rev. B 85, 165321 (2012)] 测量了 \nu= 5/2 量子霍尔液体中准粒子通过量子点接触的隧穿对温度和电压的依赖性。其结果导致了关于量子霍尔态性质的相互矛盾的结论。在本文中，我们表明通过识别实验中器件的不同几何结构可以解决这一矛盾。我们认为，在某些几何结构中，量子霍尔边缘在点接触两侧的段之间存在显著的未屏蔽静电相互作用。库仑相互作用影响隧穿电流。我们将实验结果与 Pfaffian、SU(2)_2、331 和 K=8 态及其粒子 - 空穴共轭态的理论预测进行了比较。在考虑库仑修正后，所有几何结构中的测量结果均与自旋极化和自旋非极化的 Halperin 331 态一致。
引用
@article{arxiv.1306.6875,
title = {Influence of device geometry on tunneling in \nu=5/2 quantum Hall liquid},
author = {Guang Yang and D. E. Feldman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.6875},
year = {2013}
}
备注
Final version as accepted by PRB