化学稳定性对MnGa基器件制备的影响
应用物理
2019-10-02 v1 材料科学
摘要
L10有序MnGa铁磁薄膜不仅在超高密度磁记录、自旋电子存储器、振荡器和传感器的应用中展现出前景，也在新型电输运现象的可控研究中具有价值。然而，在标准微/纳米加工工艺中常用的化学试剂和氧气等离子体中MnGa的稳定性尚不确定。在本工作中，我们报道了关于MnGa薄膜在酸、丙酮、乙醇、去离子水、四甲基氢氧化铵(TMAOH)和氧气等离子体中的化学稳定性的系统研究。我们发现MnGa在丙酮和乙醇中非常稳定，而在TMAOH溶液中浸泡足够长时间会受到显著侵蚀。去离子水和酸(如HCl、H3PO4和H2SO4溶液)会剧烈侵蚀MnGa，应尽可能避免。此外，氧气等离子体可通过氧化表面对MnGa表面进行钝化。这些结果为MnGa基自旋电子器件的制备与集成提供了重要信息。
引用
@article{arxiv.1908.06536,
title = {Influence of chemical stability on the fabrication of MnGa-based devices},
author = {Lijun Zhu and Jianhua Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.06536},
year = {2019}
}