薄等离激元半导体层纳米孔中电磁波透射的入射角依赖性
介观与纳米尺度物理
2015-12-01 v1 光学
摘要
本工作关注入射电磁波的入射角在穿过薄半导体等离激元层中亚波长纳米孔时的透射中的作用。针对近场、中场和远场透射辐射区各种入射角，给出了入射波 和 偏振的详尽计算和结果。我们的并矢格林函数公式包含两部分：(1) 直接透过 等离激元层的电磁场，与 (2) 纳米孔发出的辐射相叠加。明确展示了由这种叠加产生的干涉条纹。基于积分方程公式，这种并矢格林函数方法不涉及任何金属边界条件的诉求。它确实包含了半导体层 等离激元的作用，后者因其横向波数依赖性而展宽。我们发现，聚集在纳米孔附近的干涉条纹在远离纳米孔的大距离处平坦化为仅通过薄片的直接透射均匀水平。此外，随着入射角增大，通过纳米孔的相对较大的中央透射最大值的轴随之移动，伴随其前方干涉条纹最大值的空间压缩，以及其后方条纹最大值的空间变薄。
引用
@article{arxiv.1511.08871,
title = {Incident-Angle Dependence of Electromagnetic Wave Transmission through a Nano-hole in a Thin Plasmonic Semiconductor Layer},
author = {Désiré Miessein and Norman J. Morgenstern Horing and Harry Lenzing and Godfrey Gumbs},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.08871},
year = {2015}
}
备注
22 pages, 28 figures