反铁磁-单态量子临界点附近的杂质
强关联电子
2017-02-22 v1
摘要
重费米子体系及其他强关联电子材料通常表现出反铁磁 (AF) 与单态基态之间的竞争。我们使用精确的量子蒙特卡罗 (QMC) 模拟，通过适当定义的杂质磁化率 ，考察了在此类 AF-单态量子临界点附近杂质的影响。我们的关键发现是，在单一计算框架内，将转变的单态一侧诱导的 AF 畴与核磁共振 (NMR) 弛豫率 的行为联系起来。我们表明，局部 NMR 测量提供了量子临界点 (QCP) 位置的判据，该判据与 AF 序参子的消失及 的大值惊人地一致。我们将我们的结果与 Cd 掺杂 CeCoIn 的实验联系起来。
引用
@article{arxiv.1607.06054,
title = {Impurities near an Antiferromagnetic-Singlet Quantum Critical Point},
author = {T. Mendes and N. Costa and G. Batrouni and N. Curro and R. R. dos Santos and T. Paiva and R. T. Scalettar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.06054},
year = {2017}
}