基于中程屏蔽杂化泛函改进的半导体晶格参数与带隙
材料科学
2012-04-27 v2
摘要
我们表明，Henderson、Izmaylov、Scuseria 和 Savin 提出的中程交换关联杂化泛函（HISS）对于具有窄带隙或可见光谱带隙的元素半导体和二元半导体，以及一些商业上使用的宽带隙或更强离子性系统表现极为优异。其预测的晶格参数优于 Heyd、Scuseria 和 Ernzerhof 的屏蔽杂化泛函（HSE）的预测结果，并且相较于半局域泛函预测的几何结构有显著改进。HISS 给出的带隙也优于专门针对固态发展的泛函所给出的结果。计时表明，HISS 的计算效率高于 HSE，这意味着高质量的晶格常数结合改进的光学带隙预测，使 HISS 成为在对几何结构敏感的半导体建模中 HSE 的有用补充。
引用
@article{arxiv.1111.4515,
title = {Improved Semiconductor Lattice Parameters and Band Gaps from a Middle-Range Screened Hybrid Functional},
author = {Melissa J. Lucero and Thomas M. Henderson and Gustavo E. Scuseria},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.4515},
year = {2012}
}
备注
10 pages, 5 figures, 3 tables