来自穿越 HII 区的脉冲信号视线对银河电子密度结构的启示

近期射电调查揭示了某些脉冲信号其离散及散射延迟大于观测到的数据集中其他脉冲信号，甚至其电子柱密度（即位移 measures；DM）超过银河电子密度模型的最大预测值。通过将观测到的脉冲信号 population 与 HII 区目录进行交叉匹配，我们展示了 DM 大于 $600$ pc cm$^{-3}$ 且 1 GHz 处的散射延迟 $\tau(1\ {\rm GHz}) > 10$ ms 的脉冲信号大多位于 HII 区之后，而 HII 区的交叉点可能涉及至多三分之一的观测脉冲信号 population。穿越 HII 区的脉冲信号比例很可能更大。考虑到 HII 区后，才能解释银河电子密度模型将 high-DM 脉冲信号定位在银河盘之外的矛盾现象。通过将从复合发射强度观测推导出的发射强度 (EM) 与脉冲信号 DM 进行比较，我们表明 HII 区可在脉冲信号视线上贡献数十至数百 pc cm$^{-3}$ 的电子柱密度。我们发现， nearly all 脉冲信号在显著偏离平均 $\tau$-DM 关系的散射现象（无论是 excess 还是 deficit）都位于已知的离散电离气体结构（包括 HII 区）之内。考虑到 HII 区对于将射电位移及散射测量解释为电子密度标志物至关重要，无论是在银河系内还是在其他星系中。