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铁电体的阻抗谱:畴壁钉扎元件

材料科学 2021-03-10 v2

摘要

我们基于随机系统中界面钉扎理论引入一个等效电路元件,用以分析在矫顽场以下畴壁运动对铁电体阻抗的贡献,该贡献是外加交流电场振幅 E0E_0 和频率 ff 的函数。我们研究了包含铁电 0.5(Ba0.7_{0.7}Ca0.3_{0.3})TiO3_{3}--0.5Ba(Zr0.2_{0.2}Ti0.8_{0.8})O3_{3} (BCZT) 薄膜的电容堆叠,该薄膜通过脉冲激光沉积在外延生长于 Nb 掺杂 SrTiO3_3 单晶衬底上并覆盖 Au 电极。在不同 E0E_0 下收集了从 f=10f=10\,Hz 到 1\,MHz 的阻抗谱。通过用电容堆叠的等效电路模型拟合实测阻抗来实现谱的去卷积,并从所得拟合参数中提取 BCZT 薄膜由畴壁运动诱导的振幅和频率依赖的介电响应。通过扩展 Rayleigh 分析,我们量化了 BCZT 薄膜中介电非线性和介电色散之间的耦合强度,并识别了不同的畴壁运动区域。最后,我们构建了不同畴壁运动区域的示意图,并讨论了相应的畴壁动力学。

关键词

引用

@article{arxiv.2008.04786,
  title  = {Impedance spectroscopy of ferroelectrics: The domain wall pinning element},
  author = {M. Becker and C. J. Burkhardt and R. Kleiner and D. Koelle},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2008.04786},
  year   = {2021}
}