Rashba 自旋轨道耦合对 f 电子材料的影响
强关联电子
2019-05-01 v1
摘要
强自旋轨道耦合与强关联的结合在有趣物理现象以及自旋电子学和量子计算应用方面具有巨大潜力。在此背景下，我们研究了非中心对称 f 电子材料中 Rashba 自旋轨道耦合（RSOC）与 Kondo 屏蔽之间的相互作用。我们表明，由于 RSOC，f 电子的 Kondo 耦合在高温下变得各向异性。然而，低温下各向同性 Kondo 效应得以恢复，从而导致完全的 Kondo 屏蔽。我们进一步证明，Kondo 效应对能带结构中的 Rashba 分裂有影响，使其变得依赖于温度。尽管 f 电子在高温下局域化，但由于与 f 电子的散射，导带中出现了螺旋自旋极化。随着温度降低，发生 Kondo 屏蔽，导致能带结构发生剧烈变化。值得注意的是，能带结构的这些变化依赖于螺旋自旋极化。对于强 RSOC，我们观察到其中一个螺旋能带的杂化隙在低温下闭合，并形成螺旋半金属。
引用
@article{arxiv.1812.10888,
title = {Impact of the Rashba Spin Orbit Coupling on $f$-electron Materials},
author = {Yoshihiro Michishita and Robert Peters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.10888},
year = {2019}
}