使用透明导电氧化物中间层的III-V/Si晶圆键合
材料科学
2015-06-15 v2
摘要
我们提出了一种利用透明导电氧化铟锌中间层将III-V材料低温等离子体活化直接晶圆键合到Si的方法。透明导电氧化物（TCO）层提供了优异的光学透射以及电导，表明其适用于包括基于Si的叠层太阳能电池在内的Si/III-V混合器件。对于100C至350C的键合温度，在样品堆栈中观察到欧姆行为，在200C键合的样品比接触电阻率低于1 cm。光学吸收测量显示出最小的寄生光吸收，这受限于为形成与TCO的欧姆接触所必需的III-V中间层。这些结果对于在一个太阳或低浓度条件下工作的GaInP/Si叠层太阳能电池是有希望的。
引用
@article{arxiv.1505.05453,
title = {III-V/Si Wafer Bonding Using Transparent, Conductive Oxide Interlayers},
author = {Adele C. Tamboli and Maikel F. A. M. van Hest and Myles A. Steiner and Stephanie Essig and Emmett E. Perl and Andrew G. Norman and Nick Bosco and Paul Stradins},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.05453},
year = {2015}
}