公度电荷调制中孤子晶格的滞后熔化相变

我们报道了通过输运测量和扫描隧道显微镜 (STM) 研究观察到的 IrTe$_2$ 中公度电荷调制的滞后相变。在相变以下（冷却时 $T_{\rm C} \approx 275$ K），观察到 $q = 1/5$ 的电荷调制，这与之前的研究一致。在第二个相变以下（冷却时 $T_{\rm S}\approx 180$ K），出现了额外的调制 [$q_n = (3n+2)^{-1}$]。各种调制的共存一直持续到加热时的 $T_{\rm C}$。电荷调制的原子结构和温度依赖的 STM 研究表明，1/5 调制是一种周期性孤子晶格，其在冷却至 $T_{\rm S}$ 以下时部分熔化。我们的结果提供了有力证据，表明 IrTe$_2$ 的基态是公度的 1/6 电荷调制，其源于原子级分辨 STM 图像所可视化的 Te 原子的周期性二聚化。