U3Bi4Ni3 中杂化驱动的能隙：一项 209Bi NMR/NQR 研究
强关联电子
2009-05-20 v2
摘要
我们报告了在近藤绝缘体 U3Bi4Ni3 单晶上进行的 209Bi NMR 和 NQR 测量。209Bi 核自旋-晶格弛豫率 () 表现出激活行为，并且很好地拟合为 220 K 的自旋能隙。209Bi Knight 位移 (K) 表现出由 5f 电子引起的强温度依赖性，其中 K 在高温下为负值，并随温度降低而增大。在 50 K 以下，K 显示出一个宽峰，并在进一步冷却时略微下降。我们的数据提供了对基于 5f 电子杂化的全能隙近藤绝缘体中超精细场演化的洞察。
引用
@article{arxiv.0902.1468,
title = {Hybridization-driven gap in U3Bi4Ni3: a 209Bi NMR/NQR study},
author = {S. -H. Baek and N. J. Curro and T. Klimczuk and H. Sakai and E. D. Bauer and F. Ronning and J. D. Thompson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.1468},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted to Phys. Rev. B