重费米子材料中奈特位移异常的计算

我们研究了重费米子材料的奈特位移 $K(\vec r, T)$ 和磁化率 $\chi(T)$，该材料由无限 U 安德森模型建模，并采用 NCA 方法。对不同近藤温度 $T_0$（取决于杂化宽度 $\Gamma$）下 $K(\vec r, T)$ 和 $\chi(T)$ 的系统研究表明，存在低温异常（$K$ 与 $\chi$ 之间的非线性关系），该异常随近藤温度 $T_0$ 和距离 $r$ 的增加而增强。我们通过将核周围数百个稀土原子壳层的 $K(\vec r)$ 相加进行了非相干晶格求和，并将数值计算结果与实验结果进行了比较。对于浓缩重费米子材料 CeSn_3，我们研究了 ^{119}Sn 核磁共振奈特位移和正μ子奈特位移。此外，利用平均 T 矩阵近似，考虑了在每个稀土位点上由传导电子散射引起的晶格相干效应。还研究了 YbCuAl 以及所提出的四极近藤合金 Y_{0.8}U_{0.2}Pd_{3} 的核磁共振奈特位移。