Hugenholtz–Pines 关系与 Rabi 耦合双组分玻色系统的临界温度

利用理论场高斯近似，我们研究了低温下的 Rabi 耦合双组分玻色系统。我们推导了考虑一体相互作用（如 Rabi 耦合）的扩展 Hugenholtz–Pines 关系，并研究了玻色-爱因斯坦凝聚相变的临界温度 $T_c$。我们表明，该相互作用引起的 $T_c$ 偏移不能超过约 $60\%$，并随参数 $\Omega_R/T_{c}^{0}$ 增大趋于平台，其中 $\Omega_R$ 为耦合强度，$T_{c}^{0}$ 为 $\Omega_R=0$ 时系统的临界温度。此外，该偏移恒为正，且不依赖于一体相互作用的符号。